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BP85958DL

内部集成 500V 高压 MOSFET

样品申请

简述

BP85958DL 是一款高机能、高集成度、低待机功耗的开关电源驱动芯片，合用于全电压 85~265VAC 输入的 Buck、Buck-Boost等变换器拓扑利用。 BP85958DL内部集成了500V高压MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路以及电压反馈电路，选取先进的节造技术，无需环路赔偿即可实现优异的恒压输出个性，极大地削减了表围器件数量，节俭了系统成本和体积，同时提高了靠得住性。 BP85958DL芯片选取多模式节造技术，能有效降低系统待机功耗，提高效能和改善动态机能，并减幼系统工作在轻载时的音频噪声。

优势

内部集成 500V 高压 MOSFET

集成高压启动和自供电电路

集成输出电压采样

低待机功耗

固定 12V 输出

优异的动态响应速度，输出电压纹波幼

利用领域